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TSM019NH04LCR-RLG

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TSM019NH04LCR-RLG

Pour Référence Seulement

Référence TSM019NH04LCR-RLG
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation
Description 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 14 895 piece(s)
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Spécifications TSM019NH04LCR-RLG

FabricantTaiwan Semiconductor Corporation
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesPerFET™
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)40 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C35A (Ta), 100A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs104 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds6282 pF @ 25 V
Vgs (Max)±16V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)150W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs1.9mOhm @ 50A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur8-PDFNU (5x6)
Paquet / cas8-PowerTDFN

TSM019NH04LCR-RLG Packaging

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Packing
Insepction

TSM019NH04LCR-RLG FAQ

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